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2021年西安電子科技大學(xué)碩士研究生半導(dǎo)體物理801考試大綱
來源：西安電子科技大學(xué) 更新時(shí)間：2020年09月12日 15:44:41
2021考研的考生們已經(jīng)進(jìn)入備考狀態(tài)，備考中是否有些摸不著頭腦，當(dāng)前部分院校陸續(xù)公布自命題科目考試大綱。為便于考研小伙伴們能及時(shí)掌握考試大綱，中公考研網(wǎng)校小編整理“2021年西安電子科技大學(xué)碩士研究生半導(dǎo)體物理801考試大綱”內(nèi)容，希望可以幫助到大家~
研究生入學(xué)考試復(fù)習(xí)大綱《半導(dǎo)體物理》(801)
一、 總體要求
“半導(dǎo)體物理”要求學(xué)生熟練掌握半導(dǎo)體的相關(guān)基礎(chǔ)理論，了解半導(dǎo)體性質(zhì)以及受外界因素的影響及其變化規(guī)律。重點(diǎn)掌握半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和帶、半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷能級(jí)、半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性、半導(dǎo)體中的非平衡載流子等相關(guān)知識(shí)、基本概念及相關(guān)理論，掌握半導(dǎo)體中載流子濃度計(jì)算、電阻(導(dǎo))率計(jì)算以及運(yùn)用連續(xù)性方程解決載流子濃度隨時(shí)間或位置的變化及其分布規(guī)律的計(jì)算等。
“半導(dǎo)體物理”（801）研究生入學(xué)考試是所學(xué)知識(shí)的總結(jié)性考試，考試水平應(yīng)達(dá)到或超過本科專業(yè)相應(yīng)的課程要求水平。
二、 復(fù)習(xí)要點(diǎn)
（一）半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)和缺陷
1.復(fù)習(xí)內(nèi)容
半導(dǎo)體的分類及其特點(diǎn)，半導(dǎo)體的性質(zhì)及導(dǎo)電能力對外界因素的依賴性，半導(dǎo)體化學(xué)鍵的性質(zhì)和半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)，金剛石與閃鋅礦結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)及其各向異性。
2.具體要求
固體的分類
半導(dǎo)體性質(zhì)
化學(xué)鍵類型和晶體結(jié)構(gòu)的規(guī)律性
半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體鍵的性質(zhì)
晶格、晶向與晶面
半導(dǎo)體中常用的晶向與晶面
金剛石結(jié)構(gòu)和閃鋅礦結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)及其各向異性
砷化鎵晶體的極性
（二）半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)
1.復(fù)習(xí)內(nèi)容
半導(dǎo)體中電子狀態(tài)與能帶，半導(dǎo)體中的電子運(yùn)動(dòng)與有效質(zhì)量，空穴，回旋共振原理與作用，Si的回旋共振實(shí)驗(yàn)結(jié)果，常用元素半導(dǎo)體和典型化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)。
2.具體要求
半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)、表征和能帶
半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng)和有效質(zhì)量，有效質(zhì)量的意義
本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)，
空穴的概念，空穴等效概念的作用與意義
回旋共振原理、作用及其Si晶體的回旋共振實(shí)驗(yàn)結(jié)果
Si、Ge和典型化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)
（三）半導(dǎo)體中雜志和缺陷能級(jí)
1.復(fù)習(xí)內(nèi)容
半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷，元素半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷能級(jí)，化合物半導(dǎo)體中的雜質(zhì)能級(jí)、位錯(cuò)和缺陷能級(jí)。
2.具體要求
Si和Ge晶體中的雜質(zhì)和雜質(zhì)能級(jí)
雜質(zhì)的補(bǔ)償作用與應(yīng)用
深能級(jí)雜質(zhì)
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體中的雜質(zhì)能級(jí)
等電子雜質(zhì)與等電子陷阱
半導(dǎo)體中的缺陷與位錯(cuò)能級(jí)
（四）半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布
1.復(fù)習(xí)內(nèi)容
狀態(tài)密度，分布函數(shù)、Fermi能級(jí)，載流子統(tǒng)計(jì)分布，本征和雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度，補(bǔ)償半導(dǎo)體的載流子濃度，簡并半導(dǎo)體
2.具體要求
狀態(tài)密度的定義與計(jì)算
分布函數(shù)
費(fèi)米能級(jí)、費(fèi)米能級(jí)意義
非簡并半導(dǎo)體載流子的統(tǒng)計(jì)分布
本征半導(dǎo)體的載流子濃度
雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度
雜質(zhì)補(bǔ)償半導(dǎo)體的載流子濃度
簡并半導(dǎo)體及載流子濃度、簡并化判據(jù)、簡并半導(dǎo)體的特點(diǎn)與雜質(zhì)帶導(dǎo)電
載流子濃度的分析計(jì)算方法及其影響載流子濃度的因素
（五）半導(dǎo)體的導(dǎo)電性
1.復(fù)習(xí)內(nèi)容
載流子的漂移運(yùn)動(dòng)，遷移率，載流子的散射，遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系，電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系，強(qiáng)場效應(yīng)與熱載流子
2.具體要求
漂移的概念與規(guī)律
載流子漂移運(yùn)動(dòng)
遷移率定義及物理意義
載流子散射概念
半導(dǎo)體中的主要散射機(jī)制、特點(diǎn)及其影響因素
半導(dǎo)體中其它因素引起的散射
遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
載流子在強(qiáng)電場下的效應(yīng)
高場疇區(qū)與Gunn效應(yīng)；
（六）非平衡載流子
1.復(fù)習(xí)內(nèi)容
非平衡狀態(tài)，非平衡載流子的產(chǎn)生與復(fù)合，非平衡載流子壽命，準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)，復(fù)合理論，陷阱效應(yīng)，非平衡載流子載流子的擴(kuò)散與漂移，愛因斯坦關(guān)系，連續(xù)性方程
2.具體要求
非平衡狀態(tài)及其特點(diǎn)
非平衡載流子的注入與復(fù)合
準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)概念與意義
非平衡載流子的壽命及其影響因素
直接復(fù)合與間接復(fù)合理論
表面復(fù)合
陷阱效應(yīng)
擴(kuò)散概念與規(guī)律
半導(dǎo)體中載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)
Einstein關(guān)系
半導(dǎo)體中的電流構(gòu)成
連續(xù)性方程的建立及意義
連續(xù)性方程的典型應(yīng)用
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